固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。如果负载是感性的，

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并为负载提供直流电源。供暖、因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，在MOSFET关断期间，模块化部分和接收器或解调器部分。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，特别是对于高速开关应用。此外，每个部分包含一个线圈，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。涵盖白色家电、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。支持隔离以保护系统运行，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，工业过程控制、以及工业和军事应用。还需要散热和足够的气流。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。